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IXTY2P50PA

Name: IXYS IXTY2P50PA
Brand: IXYS
SKU: 576-IXTY2P50PA
Price: 3.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-IXTY2P50PA

Herst.- Nr.:

IXTY2P50PA

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

Datenblatt:

IXTY2P50PA Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	11.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	58 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	66 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	62 ns
Verpackung ab Werk:	70
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

IXTY2P50PA Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Der IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET von Littelfuse ist ein einfach zu montierender AEC-Q101-qualifizierter MOSFET mit niedriger Gehäuseinduktivität. Dieser MOSFET wird mit dem robusten PolarP™-Verfahren hergestellt, hat ein kompaktes Design und ist Avalanche-eingestuft. Der IXTY2P50PA MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von -500 V, einen Avalanche-Strom von -2 A, eine Avalanche-Energie von 150 mJ und eine Verlustleistung von 58 W. Dieser MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben. Zu den typischen Applikationen gehören High-Side-Schalter, Push-Pull-Verstärker, automatische Testausrüstungen, Stromregler und DC-Chopper.