NCD57201 und NCV57201 Halbbrücken-Gate-Treiber

Onsemi NCD57201 und NCV57201 Halbbrücken-Gate-Treiber verfügen über einen nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einen galvanisch getrennten High- oder Low-Side-Gate-Treiber. Der NCD57201 und der NCV57201 können zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Der isolierte High-Side-Treiber kann mit einer isolierten Stromversorgung oder über eine Bootstrap-Technik von der Low-Side-Stromversorgung betrieben werden. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber gewährleistet zuverlässige Schaltungen in Hochleistungsapplikationen für IGBTs, die mit bis zu 800 V bei hohem dV/dt betrieben werden. Die optimierten Ausgangsstufen des NCD57201 und des NCV57201 bieten eine Möglichkeit zur Minimierung von IGBT-Verlusten. Darüber hinaus verfügen die Bauteile über zwei unabhängige Eingänge mit Totzeit und Verriegelung, präzise asymmetrische UVLOs sowie kurze und abgestimmte Laufzeitverzögerungen. Der NCD57201 und NCV57201 werden mit einer V_DD/V_BS von bis zu 20 V betrieben.