SI6423ADQ-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI6423ADQ-T1-GE3
SI6423ADQ-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
1.19 CHF 1.19 CHF
0.745 CHF 7.45 CHF
0.495 CHF 49.50 CHF
0.388 CHF 194.00 CHF
0.353 CHF 353.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.317 CHF 951.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSSOP-8
P-Channel
1 Channel
20 V
12.5 A
9.8 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
112 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Abfallzeit: 36 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 70 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
Gewicht pro Stück: 158 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET ist in einem TSSOP-8-Gehäuse untergebracht und bietet eine Drain-Quellenspannung von -20 V und eine Einzelimpuls-Avalanche-Energieeinstufung von 20 mJ. Dieser MOSFET verfügt über ein Einzelkonfigurationsdesign. Das Bauteil ist vollumfänglich Rg- und UIS-getestet, halogenfrei und RoHS-konform. Der Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für Lastschalter, Batterieschalter und Leistungsmanagement.

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

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