Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.24 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIEH4800EW-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIEH4800EW-T1-GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIEH4800EW-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay SIEH4800EW-T1-GE3

Auf Lager: 2 421

Lagerbestand:: 2 421 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	5.24 CHF	5.24 CHF
	3.52 CHF	35.20 CHF
	2.54 CHF	254.00 CHF
	2.36 CHF	1 180.00 CHF
	2.28 CHF	2 280.00 CHF
	2.24 CHF	6 720.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	278 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 s
Typische Einschaltverzögerungszeit:	140 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIEH4800EW-T1-GE3 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

Der Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80 V TrenchFET^®Gen IV N-Kanal- MOSFET ist für hocheffiziente Applikationen konzipiert. In einem kompakten PowerPAK^®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm Bond Drahtlos (BWL) untergebracht, bietet der SiEH4800EW einen außergewöhnlich niedrigen On-Widerstand von 0,00115 Ω bei einem V_GS von 10 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und das Betriebsverhalten verbessert werden. Mit einem maximalen Dauersenkenstrom von 260 A und einem niedrigen GATE elektrische Ladung von 117 nC ist der Vishay / Siliconix MOSFET für schnelles Schalten und die Verarbeitung hoher Ströme optimiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Synchrongleichrichtung Motorantriebe und dem Hochleistungs-DC/DC Wandler. Das robuste Design und die fortschrittliche Trench-Technologie gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.