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SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 4.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIEH4800EW-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIEH4800EW-T1-GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIEH4800EW-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	278 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	150 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	40 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 s
Typische Einschaltverzögerungszeit:	140 ns

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Datenblatt

SIEH4800EW-T1-GE3 Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

Der Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80 V TrenchFET^®Gen IV N-Kanal- MOSFET ist für hocheffiziente Applikationen konzipiert. In einem kompakten PowerPAK^®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm Bond Drahtlos (BWL) untergebracht, bietet der SiEH4800EW einen außergewöhnlich niedrigen On-Widerstand von 0,00115 Ω bei einem V_GS von 10 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und das Betriebsverhalten verbessert werden. Mit einem maximalen Dauersenkenstrom von 260 A und einem niedrigen GATE elektrische Ladung von 117 nC ist der Vishay / Siliconix MOSFET für schnelles Schalten und die Verarbeitung hoher Ströme optimiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Synchrongleichrichtung Motorantriebe und dem Hochleistungs-DC/DC Wandler. Das robuste Design und die fortschrittliche Trench-Technologie gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.