Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 25 V Leistungs-MOSFETs liefern anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten und ermöglichen Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server, KI und mehr. Die MOSFETs sind in hart- und weichschaltenden Topologien erhältlich. Die für Hard-Switching optimierten Bauteile zeichnen sich durch hervorragende Miller-Verhältnisse, FOMs und RDS(on) aus. Die für Soft-Switching optimierten MOSFETs bieten einen extrem niedrigen RDS(on)-Wert und FOMQg.

Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Datenblatt
3 444Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 460 A 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
16 076Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
5 381Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
4 478Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
4 426Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
5 321Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
4 478Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
5 189Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Datenblatt
4 472Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Datenblatt
5 950erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 440 A 460 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape