Leistungs-MOSFETs

YAGEO XSemi Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken für niedrigen Einschaltwiderstand, Wirkungsgrad und Kosteneffizienz. Die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den Anforderungen der jeweiligen Applikation gerecht zu werden. Die für das Bauteil verfügbaren Gehäuse kommen häufig für kommerzielle und industrielle Applikationen zum Einsatz.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 2.5A SOT-23S 2 868Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 2 970Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723
10 000erwartet ab 18.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
6 000erwartet ab 03.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel