Leistungs-MOSFETs

YAGEO XSemi Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken für niedrigen Einschaltwiderstand, Wirkungsgrad und Kosteneffizienz. Die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den Anforderungen der jeweiligen Applikation gerecht zu werden. Die für das Bauteil verfügbaren Gehäuse kommen häufig für kommerzielle und industrielle Applikationen zum Einsatz.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -40V -3A SOT-23S
Datenblatt
2 845Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
Datenblatt
1 522Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 2.5A SOT-23S
Datenblatt
1 720Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
Datenblatt
1 634Auf Lager
6 000erwartet ab 10.11.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel