Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

FGY75T120SWD

Name: onsemi FGY75T120SWD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGY75T120SWD
Price: 8.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGY75T120SWD

Herst.- Nr.:

FGY75T120SWD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 1200V/75A FS7 IGBT TP247

Datenblatt:

FGY75T120SWD Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi FGY75T120SWD

Auf Lager: 711

Lagerbestand:: 711 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8.14 CHF	8.14 CHF
	4.82 CHF	48.20 CHF
	4.29 CHF	429.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.68 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	150 A
Pd - Verlustleistung:	503 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGY75T120SWD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	150 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FGY75T120SWD Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGY75T120SWD IGBTs

FGY75T120SWD-IGBTs von Onsemi integrieren eine neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation in einem 3-poligen TO247-Gehäuse. Der FGY75T120SWD bietet eine optimale Leistung mit niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten. Der IGBT von onsemi ist für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, z. B. Solar, USV und ESS, ausgelegt.