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IXSA40N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N120L2-7TR
Price: 6.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSA40N120L2-7TR

Herst.- Nr.:

IXSA40N120L2-7TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IXSA40N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	104 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	14.4 ns
Serie:	IXSA40N120L2-7
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	11.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.6 ns

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Datenblatt

IXSA40N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

Der IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET von IXYS ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET wird für den Einsatz in industriellen Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteilen empfohlen. Der IXSA40N120L2-7 MOSFET verfügt über geringe Leitungsverluste, niedrige gate-Treiber-Leistungsanforderungen und einen geringen Wärmemanagementaufwand und ist für die Gate-Steuerung optimiert. Dieser SiC-MOSFET eignet sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, USV, Motorantriebe, DC/DC-Wandler, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmung.