OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs sind N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V (ISC016N08NM8 und ISC016N08NM8SC) oder 100 V (ISC019N10NM8SC) mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Die ISC016N08NM8SC und ISC019N10NM8SC sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen (WSON-8) erhältlich, während der ISC016N08NM8 in einem Standardgehäuse TDSON-8 geliefert wird. Jedes Paket bietet überlegenen thermischen Widerstand und ist 100 % lawinengetestet. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies verfügen über eine Diode mit sanfter Erholung und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.

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Menge RoHS
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
Datenblatt
679Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
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346Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
Datenblatt
248Auf Lager
5 000erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
Datenblatt
203Auf Lager
5 000erwartet ab 10.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
Datenblatt
1Auf Lager
4 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
15 400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
Datenblatt
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
4 000erwartet ab 05.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Datenblatt
645Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000
Infineon Technologies Infineon OptiMOS™ 8 power MOSFET 100 V Normal Level in D2PAK-7
Datenblatt
500erwartet ab 10.07.2026
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000