CoolGaN™ 100 V G3 Transistoren

CoolGaN™ 100 V G3 Transistoren von Infineon Technologies sind normalerweise ausgeschaltete Anreicherungsmodus (E-Modus)-Leistungstransistoren in einem kompakten Gehäuse. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, wodurch die Bauteile eine ideale Wahl für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Hochstrom- und Hochspannungs-Applikationen sind. Die CoolGaN-Transistoren sind  darauf ausgelegt, das Wärmemanagement zu verbessern. Typische Applikationen sind Audioverstärker-Lösungen, Photovoltaik, Telekommunikationsinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Drohnen.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
Datenblatt
3 840Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
Datenblatt
3 399Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Datenblatt
2 250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Datenblatt
5 415Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs MV GAN DISCRETES
Datenblatt
1 225Auf Lager
10 000erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN