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FRDMGD3160HB8EVM

Name: NXP FRDMGD3160HB8EVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-FRDMGD3160HB8EVM
Price: 450.87 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-FRDMGD3160HB8EVM

Herst.- Nr.:

FRDMGD3160HB8EVM

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Half-Bridge Evaluation Board for P6 IGBT/SiC Modules

Datenblatt:

FRDMGD3160HB8EVM Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:	N
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	25 V
Tool für die Evaluierung von:	GD3160
Serie:	GD3160
Marke:	NXP Semiconductors
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Artikel # Aliases:	935437116598

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Datenblatt

FRDMGD3160HB8EVM Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8471500150
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

Freedom-Platinen

Die Freedom-Platinen von Freescale umfassen die Freescale-Entwicklungsplattform und sind kleine, kosteneffektive Entwicklungs- und Evaluationssysteme mit geringem Stromverbauch für schnelles Anwendungs-Prototyping und die Demonstration der Kinetis-Mikrocontroller-Familien. Diese Freedom-Platinen von Freescale bieten eine benutzerfreundliche Massenspeichergerät-Flash-Modus-Programmierung, einen virtuellen seriellen Port sowie klassische Programmierungs- und Laufkontrollmöglichkeiten.
Weitere Informationen

FRDMGD3160HB8EVM Evaluierungskit

Das FRDMGD3160HB8EVM Evaluierungskit von NXP Semiconductors ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für die GD3160 Single-Channel Gate-Treiber. Die GD3160 Gate-Treiber sind für die Ansteuerung von SiC- und IGBT-Modulen für xEV-Traktionswechselrichter, OBC und DC-DC-Wandler konzipiert. Der GD3160 verfügt über eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare Schnittstelle über SPI und fortschrittliche programmierbare Schutzoptionen, wie z. B. Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Die GD3160 Gate-Treiber sind in der Lage, SiC-MOSFETs und IGBT-Gates direkt anzusteuern, wobei sie leistungsstarke Schaltfunktionen, einen niedrigen dynamischen On-Widerstand und eine Rail-to-Rail-Gate-Spannungssteuerung bieten.