XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs

IXYS XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs sind mit einer proprietären XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Verfahren der 5. Generation (GenX5) ausgelegt. Diese Bauteile verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand, geringe Energieverluste, ein schnelles Schalten, einen niedrigen Nachlaufstrom und hohe Stromdichten. Die XPT-GenX5-IGBTs verfügen über quadratische Sperrvorspannungs-sicheren Betriebsbereiche (RBSOA) und eine Durchschlagspannung von 650 V, wodurch sie sich hervorragend für hartschaltende Applikationen ohne Snubber eignen. Darüber hinaus enthalten diese IGBTs einen positiven Kollektor-zu-Emitter-Temperaturkoeffizient der Spannung, der Designern den Einsatz mehrerer parallelgeschalteten Bauteilen zur Erfüllung der Hochstromanforderungen ermöglicht. Die niedrige Gate-Ladung dieser Bauteile trägt zur Reduzierung der Gate-Treiber-Anforderungen und Schaltverluste bei.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Datenblatt
135Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Datenblatt
303Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Datenblatt
265Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube