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DMN3012LEG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3012LEG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3012LEG-7
Price: 1.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN3012LEG-7

Herst.- Nr.:

DMN3012LEG-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Datenblatt:

DMN3012LEG-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.78 CHF	1.78 CHF
	1.14 CHF	11.40 CHF
	0.788 CHF	78.80 CHF
	0.668 CHF	334.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0.53 CHF	530.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI3333-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A, 10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	6.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	2.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.7 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Gewicht pro Stück:	30 mg

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMN3012LEG MOSFET

Der MOSFET DMN3012LEG von Diodes Incorporated ist ein synchroner n-Kanal-Anreicherungstyp-30-V-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit. Dieser RoHS-konforme MOSFET bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine verbesserte Zuverlässigkeit mit Prüfung auf 100%ige UIS-Robustheit (Unclamped Inductive Switching, Schalten induktiver Lasten ohne Klemmung) während der Produktion. Der MOSFET DMN3012LEG verfügt über ein LDMOS-Design (Laterale doppeldiffundierte Metalloxidhalbleiter, LDMOS), das Leistungsverluste reduziert und für hohe Leistungsdichte, einen hohen Wirkungsgrad sowie hohe Frequenzbelastbarkeit optimiert ist. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für DC/DC-Wandler und hocheffiziente Leistungsmanagement-Applikationen.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.