AFGHL75T65SQDx Feld-Stopp-Trench-IGBTs

Die AFGHL75T65SQDx Field-Stop-Trench-IGBTs von onsemi enthalten die Field-Stop-Hochgeschwindigkeits-IGBT-Technologie der 4. Generation. Die AFGHL75T65SQDx Field-Stop-Trench-IGBTs von onsemi bieten optimale Leistung für hart- und weichschaltende Topologie in Fahrzeuganwendungen. Die IGBTs verfügen über eine enge Parameterverteilung, schnelle und sehr niedrige Schalt- und Leitungsverluste. Zu den typischen Applikationen gehören Blindleistungskompensation (PFC), Hartschaltung, DC/DC-Wandler, hybrid/Elektrofahrzeug (xEV) onboard und offboard Ladegeräte und Industrie-Wechselrichter.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung

onsemi IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
Datenblatt
391Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGHL75T65SQD AEC-Q101 Tube

onsemi IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
Datenblatt
361Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AFGHL75T65SQDT AEC-Q101 Tube