TO-220ACG SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TO-220ACG Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM Semiconductor haben einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V und einen kontinuierlichen Sperrstrombereich von 1,2 µA bis 20,0 µA. Die SiC-Technologie ermöglicht es diesen Bauelementen, eine niedrige kapazitive Ladung (QC) beizubehalten, was die Schaltverluste verringert und gleichzeitig einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Darüber hinaus behalten SiC-Bauelemente im Gegensatz zu den Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die Rückwärtserholungszeit mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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2 719Auf Lager
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
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3 968Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
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6 417Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
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1 701Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
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752Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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1 391Auf Lager
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
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770Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
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830Auf Lager
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
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11Auf Lager
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Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C Tube