1200 V PIM-3-Phasen-Eingangsgleichrichter

Die 1200 V PIM-3-Phasen Eingangsgleichrichter von Infineon Technologies sind EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A dreiphasige PIM IGBT-Module. Die Gleichrichter sind mit TRENCHSTOP™ IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC ausgestattet. Die PIM (Power Integrated Modules) mit der Integration von Gleichrichter und Bremschopper ermöglichen Systemkosteneinsparungen. 

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Technologie
Verpackung
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Datenblatt
33Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module LOW POWER ECONO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray