DRV8962QDDWRQ1

Texas Instruments
595-DRV8962QDDWRQ1
DRV8962QDDWRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber Automotive 70-V sing le or dual H-bridge

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 9.86 CHF 9.86
CHF 8.02 CHF 80.20
CHF 7.65 CHF 191.25
CHF 6.63 CHF 663.00
CHF 6.34 CHF 1 585.00
CHF 5.77 CHF 2 885.00
CHF 5.06 CHF 5 060.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 4.94 CHF 12 350.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:  
Drivers
Half Bridge
4.5 V to 60 V
6 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
HTSSOP-44
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Ausgänge: 4 Output
Produkt-Typ: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: DRV8962
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 60 V
Versorgungsspannung - Min.: 4.5 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542311999
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

DRV8962-Q1 Vierkanal-Halbbrückentreiber

Der Vierkanal-Halbbrückentreiber DRV8962-Q1 von Texas Instruments ist ein Vierkanal-Halbbrückentreiber für hohe Spannungen und hohe Leistung für verschiedene Fahrzeuganwendungen. Das Bauteil unterstützt eine Versorgungsspannung bis zu 60 V und die integrierten MOSFETs mit 50 mΩ On-Widerstand ermöglichen einen Strom bis zu 5 A an jedem Ausgang. Das Bauteil kann bis zu einem Schrittmotor, vier Magnetspulen oder Ventile, einen BLDC- oder PMSM-Motor, zwei DC-Bürstenmotoren und zwei thermoelektrische Kühler (Peltier-Elemente) ansteuern. Die Endstufe besteht aus n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die als vier unabhängige Halbbrücken, eine Ladungspumpe, Regelschaltungen, Strommessung, Schutzschaltung und Strommessausgänge konfiguriert sind.

DRV8962 65-V-Vierkanal-Halbbrückentreiber

Der DRV8962 65-V-Vierkanal-Halbbrückentreiber von Texas Instruments ist ein Vierkanal-Halbbrückentreiber mit großem Spannungsbereich und hoher Leistung für verschiedene Industrieapplikationen. Das Bauteil unterstützt eine Versorgungsspannung bis zu 65 V und integrierte MOSFETs mit einem On-Widerstand von 50 mΩ ermöglichen mit dem DDW-Gehäuse einen Strom bis zu 5 A an jedem Ausgang und mit dem DDV-Gehäuse einen Strom bis zu 10 A pro Ausgang.