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PJQ5839E-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ5839E-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5839EAUR202A1
Price: 0.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJQ5839EAUR202A1

Herst.- Nr.:

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Datenblatt:

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252AA-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	30.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	PJQ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Gewicht pro Stück:	92 mg

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Datenblatt

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET is a rugged MOSFET with a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @T_C=25°C. This MOSFET also features -31A continuous drain current (@T_C=25°C), 60°C/W thermal resistance (junction to ambient), and -55°C to 175°C junction operating temperature range. The PJQ5839E-AU is AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.