U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba  U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind  100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich  durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Datenblatt
3 000erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Datenblatt
3 000erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Datenblatt
3 000erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape