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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RA1C030LDT5CL

Herst.- Nr.:

RA1C030LDT5CL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Datenblatt:

RA1C030LDT5CL Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.202	CHF 20.20
	CHF 0.153	CHF 76.50
	CHF 0.123	CHF 123.00
	CHF 0.109	CHF 545.00
	CHF 0.09	CHF 900.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 15000)
	CHF 0.089	CHF 1 335.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WLCSP-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 50 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	15000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	RA1C030LD

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Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP-MOSFET

Der RA1C030LD ROHM Semiconductor WLCSP-MOSFET ist ein N Kanal-MOSFET, der mit einem niedrigen Einschaltwiderstand und einem Hochleistungspaket ausgestattet wurde. Diese Bauelement verfügt über eine Drain Source-Spannung von 20 V_DSS, Dauersenkstrom von 3 A und einer Verlustleistung von1 W. Der RA1C030LD MOSFET bietet eine Antriebsspannung von 1,8 V, einen Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) von 200 V (MM) bis zu 2 kV (HBM). Dieser MOSFET eignet sich für Schaltkreise, einzelne Batterie-Applikationen und mobile Applikationen. Der RA1C030LD MOSFET ist ein blei- und halogenfreies, RoHS-konformes Bauelement.