SuperFET®-V-MOSFETs

Die SuperFET® -V-MOSFETs von onsemi sind Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFETs der 5. Generation. Diese Bauteile liefern eine erstklassige Gütezahl (FoMs) (RDS(ON)· QG und RDS(ON)· EOSS) zur Verbesserung des Wirkungsgrads nicht nur bei schwerer Last sondern auch bei geringer Last. Die 600-V-SuperFET-V-MOSFETs bieten Designvorteile durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste und unterstützen gleichzeitig extreme MOSFET-dVDS/dt-Werte bei 120 V/ns. Die schnelle SuperFET-V-MOSFET-Baureihe trägt zur Maximierung des Systemwirkungsgrads und der Leistungsdichte bei. Die SuperFET-V-MOSFET-Easy Drive-Baureihe kombiniert eine hervorragende Schaltleistung ohne die Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien zu beeinträchtigen. Zu den typischen Applikationen gehören Telekommunikation, Cloud-System und Industrie.

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung

onsemi MOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM T 327Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs SF5 600V EASY ZENER 280MO 2 351Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM 783Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET5 FAST 41MOHM T 527Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs SF5 600V FAST 61MOHM FOR
3 000erwartet ab 12.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape