Leistungsstarke Hilfs-Gate-Drive-Transformatoren

Würth Electronics Hochleistungs-Hilfs-Gate-Drive-Transformatoren (WE-AGDT) verfügen über einen EP7-Formfaktor und sind für Hochgeschwindigkeits-SiC-MOSFET-Gate-Treiber-Applikationen mit einer Leistung bis zu 6 W optimiert. Diese Baureihe erreicht eine hohe Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) mit Nennwerten bis zu 100V/ns und einer besseren EMI-Leistung. Die WE-AGDT-Typ EP7-Baureihe erfüllt auch die Anforderungen der grundlegenden Isolierung gemäß IEC 61558-2-16 und 62368-1 Sicherheitsstandards. Die unipolaren und bipolaren Ausgänge machen diese Transformatoren ideal für den Betrieb von hochmodernen SiC-MOSFET-Gate-Treibern mit einer Leistung bis zu 6 W sowie IGBT und Leistungs-MOSFETs. Die Hochleistungs-Hilfs-Gate-Drive-Transformatoren von Würth Elektronik sind für eine primärseitig geregelte Flyback-Topologie ausgelegt, um eine kompakte und zuverlässige Lösung zu bieten.