2SD1223(TE16L1,NQ)

Toshiba
757-2SD1223TE16L1NQ
2SD1223(TE16L1,NQ)

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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Toshiba
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Single
4 A
80 V
100 V
5 V
1.5 V
1 W
+ 150 C
2SD1223
Reel
Cut Tape
Marke: Toshiba
Kollektorgleichstrom: 4 A
Land der Bestückung: JP
Land der Verbreitung: JP
Ursprungsland: JP
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 2000
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 360 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

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