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RH7P04BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7P04BBKFRATCB
Price: 2.04 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7P04BBKFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7P04BBKFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN8 N CHAN 100V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7P04BBKFRATCB Datenblatt

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	2.04 CHF	2.04 CHF
	1.31 CHF	13.10 CHF
	0.896 CHF	89.60 CHF
	0.715 CHF	357.50 CHF
	0.658 CHF	658.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.612 CHF	1 836.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

RH7P04BBKFRATCB Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 100 V und einem Dauersenkenstrom (I_D) von ±40 A, das nach AEC-Q101 zugelassen ist. Der Einschaltwiderstand [R_DS(ON)] beträgt 13,8 mΩ (max.) (V_GS = 10 V, I_D = 20 A) und das Bauteil ist in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8-Gehäuse (DFN3333T8LSAB) erhältlich. Das MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor eignet sich hervorragend für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.