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RH7P04BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7P04BBKFRATCB
Price: 1.94 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7P04BBKFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7P04BBKFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs DFN8 N CHAN 100V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7P04BBKFRATCB Datenblatt

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.94 CHF	1.94 CHF
	1.25 CHF	12.50 CHF
	0.859 CHF	85.90 CHF
	0.683 CHF	341.50 CHF
	0.651 CHF	651.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.625 CHF	1 875.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	13.8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	75 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

RH7P04BBKFRATCB Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 100 V und einem Dauersenkenstrom (I_D) von ±40 A, das nach AEC-Q101 zugelassen ist. Der Einschaltwiderstand [R_DS(ON)] beträgt 13,8 mΩ (max.) (V_GS = 10 V, I_D = 20 A) und das Bauteil ist in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8-Gehäuse (DFN3333T8LSAB) erhältlich. Das MOSFET RH7P04BBKFRA von ROHM Semiconductor eignet sich hervorragend für Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserieanwendungen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.