ND1130ZAAE1S

Nisshinbo
848-ND1130ZAAE1S
ND1130ZAAE1S

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber Dual H-Bridge Driver with Boost converter

ECAD Model:
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3.33 CHF 3.33 CHF
2.73 CHF 27.30 CHF
2.54 CHF 63.50 CHF
2.31 CHF 231.00 CHF
2.19 CHF 547.50 CHF
2.15 CHF 1 075.00 CHF
2.04 CHF 2 040.00 CHF
1.95 CHF 5 850.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Nisshinbo Micro Devices
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WLCSP-30-ZA1
8 Driver
4 Output
2.7 V
5.5 V
400 ns
340 ns
- 40 C
+ 105 C
Marke: Nisshinbo
Eingangsspannung – Max: 5.5 V
Eingangsspannung – Min: 2.7 V
Pd - Verlustleistung: 1.5 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 6 Ohms
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

ND1130 Dual H-Bridge Driver with Boost Converter

Nisshinbo Micro Devices ND1130 Dual H-Bridge Driver implements a Bi-CMOS process with a boost converter. The device utilizes a Li-ion battery or 5V power supply to boost voltage and drive small piezoelectric actuators and haptic devices operating two H-bridge drivers. The boost converter offers a built-in soft-start operation to limit the inrush current at power-on.