Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Qrr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige QG und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
Datenblatt
3 092Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm
Datenblatt
2 858Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 95.6 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi NTMFS7D8N10GTWG
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm
Datenblatt
8 626Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
Datenblatt
1 518Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package
Datenblatt
3 210Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 61 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 108.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package
Datenblatt
5 249Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 31 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 75.4 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC + 175 C 3.75 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel