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RRS100P03HZGTB

Name: ROHM Semiconductor RRS100P03HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRS100P03HZGTB
Price: 2.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RRS100P03HZGTB

Herst.- Nr.:

RRS100P03HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

RRS100P03HZGTB Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.34 CHF	2.34 CHF
	1.51 CHF	15.10 CHF
	1.05 CHF	105.00 CHF
	0.841 CHF	420.50 CHF
	0.801 CHF	801.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.741 CHF	1 852.50 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	39 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	100 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	60 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Artikel # Aliases:	RRS100P03HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RRS100P03HZGTB Datenblatt

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RRS100P03HZG P-Kanal-30-V- -10-A-Leistungs-MOSFET

Der RRS100P03HZG P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -30 V, 10 A von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand, das in einem kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (SOP8) untergebracht ist. Der RRS100P03HZG verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Darüber hinaus ist der MOSFET halogenfrei, hat eine Sn100%-Beschichtung und ist AEC-Q101-qualifiziert.