OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) und einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
5 141Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
716Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
347Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
7 192Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
1 729Auf Lager
1 000erwartet ab 07.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
1 905Auf Lager
500erwartet ab 04.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
1 510Auf Lager
2 000erwartet ab 21.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
1 873Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
1 501Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
610Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
39Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
2 329Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
1 987Auf Lager
1 980Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
7 155Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
6 990erwartet ab 04.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
9 400erwartet ab 18.03.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel