DMTH64M2LPDW-13

Diodes Incorporated
621-DMTH64M2LPDW-13
DMTH64M2LPDW-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
2 Channel
60 V
90 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 38 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 22 ns
Serie: DMTH64M2LPDW
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.2 ns
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TARIC:
8541290000

DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus ist für Applikationen mit hohem Wirkungsgrad konzipiert. Der DMTH64M2LPDW integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und bietet eine kompakte Größe sowie eine hervorragende thermische Leistung. Jeder Kanal verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(on)] und eine Hochstrombelastbarkeit, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung in DC/DC-Wandlern, das Leistungsmanagement in Rechenleistungssystemen und Batterieschutzschaltungen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einemDauersenkenstrom von bis zu 90 A gewährleistet dieses Bauteil von Diodes Inc ein schnelles Schalten und geringe Leitungsverluste. Das robuste Design in Kombination mit einer niedrigen Gate-Ladung und einer hohen Avalanche-Energie-Spezifikation bietet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen wie Server-Motherboards, Grafikkarten und tragbarer Elektronik.