M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Datenblatt
53Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Datenblatt
1Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC