DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCE

Der DXTN69060C 60 V-NPN-Transistor mit extrem niedriger V_{CE (SAT)} von Diodes Incorporated verfügt über eine proprietäre Struktur, um eine extrem niedrige V_{CE (SAT)}-Leistung und niedrigere Betriebstemperaturen zu erzielen, wodurch die Wärmemanagementanforderungen reduziert und die langfristige Zuverlässigkeit verbessert werden. Die DXTN69060C-Spezifikationen von Diodes Incorporated beinhalten eine Durchschlagspannung (BV_CEO) von über 60 V, einen Kollektorgleichstrom von 5,5 A und eine niedrige Sättigungsspannung unter 45 mV bei 1 A. Mit einem Hochstrom-R_{CE (SAT)} bei 24 mΩ (typisch), einer hFE-Charakterisierung bis 6 A, einer Verlustleistung von 2 W und schnellem Schalten mit kurzer Speicherzeit ist dieser Trransistor für eine effiziente, zuverlässige Leistung in Hochleistungsapplikationen ausgelegt.