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STGHU30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGHU30M65DF2AG
Price: 3.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGHU30M65DF2AG

Herst.- Nr.:

STGHU30M65DF2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Datenblatt:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.59	CHF 3.59
	CHF 2.38	CHF 23.80
	CHF 1.69	CHF 169.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 600)
	CHF 1.36	CHF 816.00
	CHF 1.31	CHF 1 572.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	HU3PAK-7
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	87 A
Pd - Verlustleistung:	441 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	57 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2.320 g

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

Der STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT ist mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt. Der STGHU30M65DF2AG von STMicroelectronics bietet eine ideale Balance zwischen Wechselrichterleistung und Wirkungsgrad mit geringer Verlustleistung und Kurzschluss-Sicherung. Der positive V_CE(sat) -Temperaturkoeffizient und die konsistente Parameterverteilung verbessern den sicheren Parallelbetrieb.