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QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 1704.02 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1029L

Herst.- Nr.:

QPD1029L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Datenblatt:

QPD1029L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Marke:	Qorvo
Maximale Betriebsfrequenz:	1.4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1.2 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	1.5 kW
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1029L
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT

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QPD1029L Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1029L GaN-HF-IMFET-Transistor

Der GaN-HF-IMFET-Transistor (IMFET) QPD1029L von Qorvo ist ein diskreter 1.500 W (P_{3 dB}) GaN-auf-SiC-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT). Dieser HF-IMFET wird in einem Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben. Der QPD1029L Transistor bietet eine einfache externe Board-Anpassung und spart Platz auf dem Board. Dieser Transistor von Qorvo ist ein RoHS-konformes Bauteil. Das IMFET-Transistorbauteil QPD1029L wird in einem Lufthohlraum-Industriestandard-Gehäuse verwendet und eignet sich hervorragend für Radar.