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IXSA80N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA80N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA80N120L2-7TR
Price: 11.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSA80N120L2-7TR

Herst.- Nr.:

IXSA80N120L2-7TR

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSA80N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	11.70 CHF	11.70 CHF
	8.91 CHF	89.10 CHF
	6.62 CHF	662.00 CHF
	6.61 CHF	3 305.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	6.18 CHF	4 944.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	79 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	135 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	395 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	24.6 ns
Serie:	IXSA80N120L2-7
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	28.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.4 ns

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Datenblatt

IXSA80N120L2-7TR Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

Der IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET ist ein industrietauglicher Einzelschalter-SiC-MOSFET, der Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten aufweist. Dieser MOSFET zeichnet sich durch geringe Leitungsverluste, niedrige Gate-Antriebsleistungsanforderungen sowie einen geringen Aufwand für das Wärmemanagement aus und ist für die Gate-Steuerung optimiert. Der IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET wird für hochgeschwindigkeitsfähige industrielle Schaltnetzteile verwendet. Dieser SiC-MOSFET ist ideal für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, USV- Anlagen, Motorantriebe, DC/DC-Wandler, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Induktionserwärmung.