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MJD2873J

Name: Nexperia MJD2873J
Brand: Nexperia
SKU: 771-MJD2873J
Price: 0.68 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-MJD2873J

Herst.- Nr.:

MJD2873J

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT

Datenblatt:

MJD2873J Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.68 CHF	0.68 CHF
	0.414 CHF	4.14 CHF
	0.328 CHF	16.40 CHF
	0.271 CHF	27.10 CHF
	0.206 CHF	206.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.183 CHF	457.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	300 mV
Pd - Verlustleistung:	15 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	65 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Kollektorgleichstrom:	2 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	120 at 0.5 A, 2 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	360 at 0.5 A, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934662266118

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

BJT und MJD Bipolartransistoren

Nexperia BJT- und MJD-Bipolartransistoren bieten eine hohe thermische und elektrische Leistung. Die hochwertige, hochzuverlässige MJD-Bipolartransistor-Produktfamilie mit Automotive-Qualifizierung (AEC-Q101) und Verbraucher-/Industrie-Qualifizierung mit einer Leistung von 2 A bis 8 A umfasst siebzehn Bauteile in NPN- und PNP-Ausführungen von 45 V bis 100 V. Diese bekannten Bauelemente im Industriestandard-Footprint ergänzen das bestehende Portfolio an Hochleistungs-Bipolartransistoren in LFPAK-Gehäusen von Nexperia und erweitern das Gesamtangebot an diskreten Bipolartransistoren des Unternehmens weiter.’’ Zu den Applikationen gehören LED-Automotivebeleuchtung, Dimmen der Hintergrundbeleuchtung in LCD-Displays, Linear- Spannungsregler, Relaisersatz, Motorantriebe, Laserdrucker und MOSFET-Treiber.

MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 50 V

Die MJD2873 NPN 2-A-Hochleistungs-Bipolartransistoren mit 50 V von Nexperia sind in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD2873 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD2873-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.