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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVT5551MR6T1G

Herst.- Nr.:

NSVT5551MR6T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NSVT5551MR6T1G Datenblatt

ECAD Model:

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	0.448 CHF	4.48 CHF
	0.291 CHF	29.10 CHF
	0.224 CHF	112.00 CHF
	0.202 CHF	202.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.173 CHF	519.00 CHF
	0.16 CHF	960.00 CHF
	0.148 CHF	1 332.00 CHF
	0.144 CHF	3 456.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOT-23-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	MY
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVT5551MR6T1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolartransistor

Der Bipolartransistor NSVT5551M von onsemi ist ein AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger V_CE(sat). Dieser NPN Bipolartransistor hat passende Chips und arbeitet bei -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich. Der NSVT5551M BJT ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform. Dieser Transistor wird in der Regel für viele verschiedene Applikationen verwendet.