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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.76 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVT5551MR6T1G

Herst.- Nr.:

NSVT5551MR6T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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	CHF 0.47	CHF 4.70
	CHF 0.321	CHF 32.10
	CHF 0.252	CHF 126.00
	CHF 0.217	CHF 217.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.177	CHF 531.00
	CHF 0.163	CHF 978.00
	CHF 0.151	CHF 1 359.00
	CHF 0.147	CHF 3 528.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOT-23-6
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	600 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolartransistor

Der Bipolartransistor NSVT5551M von onsemi ist ein AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger V_CE(sat). Dieser NPN Bipolartransistor hat passende Chips und arbeitet bei -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich. Der NSVT5551M BJT ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform. Dieser Transistor wird in der Regel für viele verschiedene Applikationen verwendet.