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TGF2954

Name: Qorvo TGF2954
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2954
Price: 80.11 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-TGF2954

Herst.- Nr.:

TGF2954

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Datenblatt:

TGF2954 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Die
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	32 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.7 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	34.5 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	19.6 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	15 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Ausgangsleistung:	27 W
Verpackung:	Gel Pack
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	TGF2954
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Transistorart:	GaN HEMT
Artikel # Aliases:	1112246

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Qorvo Die products:

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5-0810-13

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Datenblatt

TGF2954 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (P_SAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.