Hochspannungs-MOSFET-Module

Hochspannungs-MOSFET-Module von Vishay sind Leistungsmodule in einem für alle kommerziellen/industriellen Applikationen generell bevorzugten SOT-227-Gehäuse. Diese MOSFET-Module umfassen Einzelschalter-Leistungs-MOSFETs, die über ThunderFET® und TrenchFET®-Technologien verfügen und niedrigere Schalt- und Leitungsverluste bieten. Die Hochspannungs-MOSFET-Module umfassen außerdem Leistungs-MOSFETs, die ein vollständig isoliertes Gehäuse, einen niedrigen On-Widerstand und eine niedrige Drain-zu-Gehäuse-Kapazität bieten. Diese Leistungs-MOSFETs bieten die beste Kombination von hohen Schaltgeschwindigkeiten, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz in einem robusten Gehäusedesign.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFET-Module 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
Datenblatt
394Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 400 A - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 909 W
Vishay Semiconductors MOSFET-Module 500 Volt 40 Amp
Datenblatt
137Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 130 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 543 W VS-FA Tube
Vishay Semiconductors MOSFET-Module 100V 435A Module SOT-227
Datenblatt
1 257Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 435 A 2.15 mOhms - 20 V, + 20 V 2.2 V - 55 C + 175 C 652 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET-Module 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
Datenblatt
329Auf Lager
160erwartet ab 20.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 200 V 287 A 4.7 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 150 C 937 W