40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 75 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 43.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen

Si SMD/SMT DFN-5060B-8 N-Channel 2 Channel 40 V 37 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel