DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-UX-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 60 V 8.9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.6 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14.2 nC - 55 C + 175 C 2.35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.4 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMT10H010LPSW-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Reel
Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Si Reel
Diodes Incorporated DMT10H010SPSW-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Reel
Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si Reel