TSCD 1200V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 1200V SiC Schottky Diodes are AEC-Q101 qualified, merged PIN Schottky diodes with high forward surge capability. These TSCD Schottky diodes feature high-speed switching and a positive temperature coefficient on VF. The 1200V SiC Schottky diodes operate at a 175°C maximum junction temperature. These SiC diodes are RoHS-compliant, Pb-free, and halogen-free. The 1200V SiC diodes are ideal for general-purpose, Switch Mode Power Supplies (SMPS), and power factor correction.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 100 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 30A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.4 V 216 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 40A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-2L_SiC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.42 V 300 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 2A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, SOD-128
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 14 000
: 14 000

SMD/SMT SOD-128-2 Single 2 A 1.2 kV 1.37 V 464 A 4 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 10 A 1.2 kV 1.38 V 56 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 15 A 1.2 kV 1.36 V 92 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.39 V 100 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 30A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 40A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-247-3L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 200
Mult.: 600

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 68 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 92 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 104 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 152 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-263-2L (D2PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 188 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 59 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 81 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 99 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 2 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 5 A 1.2 kV 1.38 V 76 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 2 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.38 V 104 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 2 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 1.2 kV 1.39 V 108 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 15A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 2 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.38 V 148 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 2 000

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 1.2 kV 1.38 V 180 A 30 uA - 55 C + 175 C TSCD AEC-Q101 Tube