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RF3L05150CB4

Name: STMicroelectronics RF3L05150CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF3L05150CB4
Price: 120.91 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-RF3L05150CB4

Herst.- Nr.:

RF3L05150CB4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET HF-Transistoren 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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Datenblatt:

RF3L05150CB4 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorpolung:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	28 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 Ohms
Betriebsfrequenz:	945 MHz
Verstärkung:	16 dB
Ausgangsleistung:	150 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 200 C
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	LBB-4
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Produkt-Typ:	RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück:	2.400 g

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Datenblatt

RF3L05150CB4 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF3L05150CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor

Der STMicroelectronics RF3L05150CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor ist ein LDMOS-FET mit 150 W und 28/32 V, der für Breitband-Kommunikations- und ISM-Applikationen ausgelegt ist. Der RF3L05150CB4 LDMOS-Transistor von STM ist für Applikationen mit Frequenzen von HF bis 1 GHz ausgelegt. Der RF3L05150CB4 kann in Klasse AB, B oder C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.