DrMOS SiC6-Serie Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC620 von Vishay Semiconductors ist für synchrone Abwärtswandleranwendungen optimiert und bietet hohe Leistung bezogen auf Strom, Wirkungsgrad und Leistungsdichte. Die SiC620 ist in Vishays proprietären 5mm x 5mm MLP-Gehäuse erhältlich und ermöglicht die Entwicklung von Spannungsreglern mit bis zu 60A Dauerstrom pro Phase.Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen Vishays hochmoderne Gen IV TrenchFET-Technik für branchenführende Leistung sowie umfassend reduzierte Schalt- und Leitungsverluste. 

Die SiC620 enthält ein erweitertes MOSFET-Gate-Treiber-IC, das hohe Ansteuerungsströme, adaptive Laufzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode und ein thermisches Alarmsignal (THWn) für Warnmeldungen bei überhöhter Sperrschichttemperatur sowie Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei niedriger Last bietet. Die Treiber sind auch kompatibel mit einer großen Bandbreite von PWM-Controllern und unterstützen Tri-State PWM, 3,3V (SiC620A) / 5V (SiC620) PWM-Logik.
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