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RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 0.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF6L025BGTCR

Herst.- Nr.:

RF6L025BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SOT363 N-CH 60V 2.5A

Datenblatt:

RF6L025BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.571 CHF	0.57 CHF
	0.355 CHF	3.55 CHF
	0.229 CHF	22.90 CHF
	0.173 CHF	86.50 CHF
	0.156 CHF	156.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.133 CHF	399.00 CHF
	0.122 CHF	732.00 CHF
	0.106 CHF	954.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363T-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	91 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.3 ns

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Datenblatt

RF6L025BGTCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RF6L025BG Leistungs-MOSFET

Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine 60 V Drain-Source-Spannung (V_DSS) und einen ±2,5 A Dauersenkenstrom (I_D). Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_{DS (on)}) von 91 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (P_D). Der RF6L025BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauteil enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6L025BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.