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RRS090P03HZGTB

Name: ROHM Semiconductor RRS090P03HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRS090P03HZGTB
Price: 2.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RRS090P03HZGTB

Herst.- Nr.:

RRS090P03HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

RRS090P03HZGTB Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.01 CHF	2.01 CHF
	1.20 CHF	12.00 CHF
	0.848 CHF	84.80 CHF
	0.709 CHF	354.50 CHF
	0.652 CHF	652.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.614 CHF	1 535.00 CHF
	0.609 CHF	3 045.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	30 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	80 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	135 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	RRS090P03HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RRS090P03HZGTB Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RRS090P03HZG P-Kanal 30-V- 9-A-Leistungs-MOSFET

Der RRS090P03HZG P-Kanal 30-V- 9-A-Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor ist ein Bauteil mit niedrigem Einschaltwiderstand, das in einem kleinen oberflächenmontierten Gehäuse (SOP8) untergebracht ist. Der RRS090P03HZG zeichnet sich durch eine Pb-freie Beschichtung aus und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.