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STN6N60M2

Name: STMicroelectronics STN6N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN6N60M2
Price: 0.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STN6N60M2

Herst.- Nr.:

STN6N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STN6N60M2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.81 CHF	0.81 CHF
	0.504 CHF	5.04 CHF
	0.329 CHF	32.90 CHF
	0.253 CHF	126.50 CHF
	0.229 CHF	229.00 CHF
	0.209 CHF	418.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
	0.187 CHF	748.00 CHF
	0.186 CHF	1 488.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	110 mg

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Datenblatt

STN6N60M2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STN6N60M2 MDmesh-M2-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh-M2-Leistungs-MOSFET ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der über einen niedrigen Einschaltwiderstand und optimierte Schalteigenschaften verfügt. Dieser Leistungs-MOSFET ist mit der MDmesh-M2-Technologie ausgelegt. Der STN6N60M2 MOSFET bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und ein ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (C_oss). Dieser Leistungs-MOSFET ist Zener-geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Der STN6N60M2 MOSFET eignet sich hervorragend für Schaltapplikationen.