QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
Marke: Qorvo
Konfiguration: Single Triple Drain
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Entwicklungs-Kit: QPD1013EVB01
Verstärkung: 21.8 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung: 65 V
Maximale Betriebsfrequenz: 2.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 1.2 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 178 W
Verpackung: Reel
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: QPD1013
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: HEMT
Artikel # Aliases: QPD1013
Gewicht pro Stück: 7,792 g
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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99