QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

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Qorvo
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
Marke: Qorvo
Konfiguration: Single Triple Drain
Entwicklungs-Kit: QPD1013EVB01
Verstärkung: 21.8 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung: 65 V
Maximale Betriebsfrequenz: 2.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz: 1.2 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 178 W
Verpackung: Reel
Produkt-Typ: GaN FETs
Serie: QPD1013
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: HEMT
Artikel # Aliases: QPD1013
Gewicht pro Stück: 7.792 g
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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99

QPD1013 GaN-HF-Transistor

Der QPD1013 GaN-HF-Transistor von Qorvo ist ein leistungsstarker High Electron Mobility Transistor (HEMT) mit hoher Bandbreite, der von DC bis 2,7 GHz betrieben werden kann. Dieser einstufige unübertroffene Leistungstransistor ist ein diskretes 150W-GaN-on-SiC-Bauteil. Der QPD1013 HF-Transistor verfügt über ein umspritztes Kunststoffgehäuse und eignet sich für zahlreiche Applikationen wie z. B. Militär-Radar, Landmobil- und Militärfunk-Kommunikationen.

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.