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LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 10.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG2100R026VBNR

Herst.- Nr.:

LMG2100R026VBNR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG2100R026VBNR Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	10.19 CHF	10.19 CHF
	7.17 CHF	71.70 CHF
	5.76 CHF	576.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	5.76 CHF	14 400.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	8 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG2100R026
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	PH
Kenndaten und Eigenschaften:	Low Power Consumption
Eingangsspannung – Max:	5.25 V
Eingangsspannung – Min:	4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	12 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	55 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.5 mOhms
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LMG2100R026VBNR Datenblatt

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments enthält einen Gate-Treiber und Anreicherungsmodus-Galliumnitrid (GaN)-FETs. Die 53 A Halbbrücken-Leistungsstufe mit 93 V kontinuierlicher und 100 V Impulsspannung enthält zwei GaN-FETs, die von einem Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Der Treiber und die beiden GaN-FETs sind auf einer vollständig bonddrahtfreien Gehäuseplattform mit minimierten parasitären Gehäusekomponenten montiert.