Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIHP065N60E-GE3

Name: Vishay SIHP065N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP065N60E-GE3
Price: 5.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHP065N60E-GE3

Herst.- Nr.:

SIHP065N60E-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

Datenblatt:

SIHP065N60E-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SIHP065N60E-GE3

Auf Lager: 851

Lagerbestand:: 851 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 3 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 5.99	CHF 5.99
	CHF 3.46	CHF 34.60
	CHF 2.99	CHF 299.00
	CHF 2.94	CHF 2 940.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

SIHP065N60E-BE3

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 6.67

Min:

Ähnliches Produkt

Herst.:

Vishay / Siliconix

Herst.- Nr.:

SIHP065N60E-BE3

Beschreibung:

MOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	57 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	98 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	46 ns
Serie:	SIHP E
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Artikel # Aliases:	SIHP065N60E-BE3
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

Dokument filtern:

Datenblatt

SIHP065N60E-GE3 Datenblatt

Models

PCN

Technical Resources

TO-220-1

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

E-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Die 4. Gen. MOSFETs der E-Baureihe von Vishay Semiconductors sind MOSFETs mit niedriger Gütezahl (Figure-of-Merit, FOM) und E-Baureihen-Technologie. Die E-Baureihe MOSFETs der 4. Gen. verfügen über eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- und Leitungsverluste. Diese MOSFETs sind UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated). Die MOSFETs der 4. Gen. sind in TO-220AB-, PowerPAK^®-SO-8L-, PowerPak^®-8-x-8-, DPAK- (TO-252) und Thin-Lead-TO-220-FULLPAK-Gehäusen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Schaltnetzteile (SNT) und Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC).

SiHP065N60E E-Baureihe 600-V-Leistungs-MOSFET

Vishay Siliconix SiHP065N60E E-Baureihe 600-V-Leistungs-MOSFETs basieren auf der neuesten energieeffizienten E-Baureihe der Super-Junction-Technologie von Vishay. Die Leistungs-MOSFETs der E-Baureihe bieten niedrige Gatter-Ladezeiten für den On-Widerstand. Der ultra-niedrige On-Widerstand für SiHP065N60E ist um 30 % niedriger als im Vergleich zur vorherigen 600 V E-Baureihe, während er 44 % niedrigere Gatter-Ladung liefert, was die Leitungs- und Schaltverluste reduziert, um Energie zu sparen. Der SiHP065N60E bietet einen hohen Wirkungsgrad für Leistungsapplikationen wie z. B. Telekommunikation, Unternehmen und Industrie. Die Leistungszahl (FOM) ist um 25 % niedriger als die des am meisten in Konkurrenz stehenden MOSFETs der gleichen Klasse für Leistungsapplikationen. Die SiHP065N60E 600 V E-Baureihe von Vishay Siliconix wurde entwickelt, um Überspannungsübergängen im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100 % ungeklemmte induktive Umschalttests (UIS) zu widerstehen. Die SiHP065N60E MOSFETs sind in einem RoHS-konformen, halogenfreien TO-220AB-Gehäuse untergebracht.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.