MCP2D6N10Y-BP

MCP2D6N10Y 100-V-n-Kanal-MOSFET

Der 100-V-n-Kanal-MOSFET MCP2D6N10Y von Mikro Commercial Components (MCC) ist für Hochleistungsschaltungen ausgelegt. Der MCP2D6N10Y von MCC nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie (SGT) und einen niedrigen Einschaltwiderstand von 2,6 mΩ. Das Bauteil reduziert Leitungsverluste erheblich und verbessert gleichzeitig den thermischen Wirkungsgrad. Mit einem extrem niedrigen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,6 K/W steigert dieser MOSFET den Wirkungsgrad in anspruchsvoller Leistungselektronik. Sein TO-220-Gehäuse verbessert die Leistung durch sein hohes Ableitvermögen. Der MCP2D6N10Y kombiniert eine starke Strombelastbarkeit, eine ausgezeichnete Wärmeableitung und einen optimalen Wirkungsgrad, wodurch er sich hervorragend für Hochleistungsapplikationen, wie z. B. Batteriemanagementsysteme, Motorantriebe und DC/DC-Wandler eignet.